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MOS 구성 요소PMOS 트랜지스터는 반드시 N-Well 위에 형성되는데, NMOS 트랜지스터는 P-Well 일반적으로 안보이는 것을 볼 수 있다.그 이유는 CMOS 공정에서는 기본 기판이 P형이기 때문에 NMOS 트랜지스터는 기본 기판에 바로 형성되며, 별도의 P-Well을 추가로 표시할 필요가 없기 때문이다. PIMP (p-implant), NIMP (n-implant)p, n implant는 특정 영역에 p, n형 도핑을 추가하는 과정이다.pmos, nmos는 각각 소스와 드레인이 p형, n형으로 도핑되어 있다. NMOS의 경우 기본 기판이 P형이고 PMOS의 경우 N-Well 위에 만들기 때문에 각 MOS는 소스와 드레인에 NMOS에는 N형 도핑을 PMOS에는 P형 도핑을 소스와 드레인에 처리를 ..

CS_AMP, Diff_AMP CS_AMP일반적으로 MOSFET 또는 BJT를 사용하여 구성된다. 소스 단자가 접지에 연결된다.cs_amp는 전압 이득이 매우 크며, 입력 신호에 비해 출력 신호를 크게 증폭할 수 있다.입력 신호와 출력 신호의 위상이 180도 반전된다.주파수 응답이 좋으며 고주파 신호에도 효과적이다. Diff_AMP두 개의 입력 단자가 있으며, 두 입력의 차이를 증폭한다.두 입력의 전압 차이를 증폭하며, 공통 모드 신호(두 입력에 동시에 나타나는 신호)는 효과적으로 제거한다.입력 임피던스가 높아 외부 회로에 미치는 영향이 적다.신호 왜곡이 적고 안정성이 높다. cs_amp는 주로 전압 증폭 및 신호 처리를 위해 사용되며, diff_amp는 차동 신호를 효과적으로 증폭하는 데 초점을 맞춘다..